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2022年5月20日—AmorphousOxideSemiconductors:IGZOandRelatedMaterialsforDisplayandMemory.Editor(s):.HideoHosono,HideyaKumomi,.Firstpublished:20 ...,2022年5月17日—作者簡介.HideoHosono,PhD,isHonoraryandInstituteProfessorat...HeisapioneerofoxidesemiconductorsincludingIGZO-TFTs,iron-based ...,2018年7月26日—TheJuly2018columntellsthestoryoftheIGZOthinfilmtransistor(TFT)throughtheeyesofProfessorHideoHos...

參考資訊如下
Amorphous Oxide Semiconductors

2022年5月20日 — Amorphous Oxide Semiconductors: IGZO and Related Materials for Display and Memory. Editor(s):. Hideo Hosono, Hideya Kumomi,. First published:20 ...

Amorphous Oxide Semiconductors

2022年5月17日 — 作者簡介. Hideo Hosono, PhD, is Honorary and Institute Professor at ... He is a pioneer of oxide semiconductors including IGZO-TFTs, iron-based ...

Hideo Hosono's story of IGZO TFT development features in ...

2018年7月26日 — The July 2018 column tells the story of the IGZO thin film transistor (TFT) through the eyes of Professor Hideo Hosono of Tokyo Tech's Institute ...

How we made the IGZO transistor

由 H Hosono 著作 · 2018 · 被引用 111 次 — Thin-film transistors made from indium gallium zinc oxide (IGZO) are driving the next evolution in active-matrix flat panel displays.

Igzo And Related Materials For Display And Memory

書名：Amorphous Oxide Semiconductors: Igzo And Related Materials For Display And Memory，ISBN：9781119715573，出版社：John Wiley & Sons Inc，作者：Hosono， ...

IGZO材料、元件特性及其基本原理(一)

2013年6月19日 — IGZO是由In2O3、Ga2O3和ZnO這三種氧化物所組成的材料系統，並不專指某一特定成分的銦鎵鋅氧化物。如果三者組合起來時In、Ga和Zn的原子數量相同，那麼IGZO ...

細野秀雄

Hosono Hideo. 細野教授是IGZO技術的開發者、鐵基超導體的發現者。2013年名列湯森路透引文桂冠獎，2016年獲日本國際獎。 目次. 1 生平; 2 研究. 2.1 IGZO技術; 2.2 鐵基 ...

細野秀雄

Hosono Hideo. 細野教授是IGZO技術的開發者、鐵基超導體的發現者。2013年名列湯森路透引文桂冠獎，2016年獲日本國際獎。 目录. 1 生平; 2 研究. 2.1 IGZO技術; 2.2 鐵基 ...

非晶氧化物InGaZnO4 薄膜製備的透明薄膜電晶體

由 馬文元 著作 · 2005 — 本論文研究以非晶氧化物InGaZnO4 (a-IGZO)透明半導體薄膜，來. 製備透明薄膜電晶體元件。霍爾量測顯示：在室溫下、氧氣壓力介於. 20~200 mtorr 沉積的非晶相InGaZnO 4 ...